
基于新的微图形沟道技术,沟道顶IGBT7芯片的静态损耗比IGBT4低得多。它的通态电压降低了20%。这在应用中带来了显著的损耗降低,特别是对于通常在中等开关频率下工作的工业驱动器。电源模块的 大允许过载连接温度为175°C。此外,它们具有更柔和的开关和改进的可控性。

新的1200 V TRENCHSTOP IGBT7模块采用与TRENCHSTOP IGBT4模块相同的引脚设计,支持制造商减少设计工作量。更重要的是,新的模块能够在同 个封装中提供更高的输出电流,或者在更小的封装中提供类似的输出电流。因此,设计人员可以在需要的地方实现更紧凑的逆变器设计。所有模块类型都配备了英飞凌可靠的压装技术,以降低欧姆电阻和缩短工艺时间。